<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:cf="http://www.microsoft.com/schemas/rss/core/2005">
<channel xmlns:cfi="http://www.microsoft.com/schemas/rss/core/2005/internal" cfi:lastdownloaderror="None">
<title cf:type="text"><![CDATA[安徽建筑大学学报 -->核科学与技术]]></title>
<item>
<title xmlns:cf="http://www.microsoft.com/schemas/rss/core/2005" cf:type="text"><![CDATA[直拉式单晶硅生长炉超导磁体研究]]></title>
<link><![CDATA[http://xuebao.ahjzu.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20210806004&flag=1]]></link>
<description xmlns:cf="http://www.microsoft.com/schemas/rss/core/2005" cf:type="html"><![CDATA[高集成度芯片的发展使得半导体行业对硅单晶材料提出尺寸与质量的要求。Cz法可生成大尺寸硅单晶，但生长中有热对流，边界层不稳定，使得生成的大尺寸晶体易生杂质。因磁场对导电熔体内对流有抑制效果，通过外加磁场可提高生成大尺寸晶体的品质。基于现有研究结果提出了一种用于单晶生长炉的瓦状结构超导磁体，确定了线圈结构参数、导体类型、安匝数及屏蔽体厚度及磁芯高度，使其满足大尺寸、高品质单晶硅生长所需的磁场强度（约0.5T）及磁场位型,从而降低磁漏。借助数值分析优化了超导磁体结构参数，有望为后续的MCZ硅单晶生长工艺参数提供有价值的参考依据。]]></description>
<pubDate>2022/7/4 14:09:56</pubDate>
<category><![CDATA[核科学与技术]]></category>
<author><![CDATA[吴小四,朱银锋]]></author>
<guid><![CDATA[http://xuebao.ahjzu.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20210806004&flag=1]]></guid><cfi:id>1</cfi:id><cfi:read>true</cfi:read></item>
</channel>
</rss>